• Закупівля без використання електронної системи
  • КЕП
  • Без аукціону

Епітаксійні пластини композитної приладової структури GaAs/AlAs, ДК 021:2015: 31712330-2 — Напівпровідникові прилади.

Завершена

80 895.00 UAH без ПДВ
Номер: f0036d2d2fc745369d5c88f512b67f61
Внутрішній номер закупівлі: 27557174
Ідентифікатор закупівлі: UA-2025-12-15-005208-a   
Замовник: БЕРДЯНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ПЕДАГОГІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
Контактна особа: Нехай Христина Сергіївна 380664122333 rabota0569@gmail.com https://bdpu.org.ua/
Класифікатор ДК 021:2015: 31712330-2 Напівпровідникові приладиАналіз за цим CPV
Вид предмету закупівлі: Товари
Очікувана вартість: 80 895.00 UAH без ПДВ

Тендерна документація

Номенклатура

Назва
Кількість
Період постачання
Місце постачання
Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Код ДК 021:2015: 31712330-2 Напівпровідникові прилади
Кількість 5 штука
Період постачання до 25.12.2025
Місце постачання 69011, Україна, Запорізька область, ЗАПОРІЖЖЯ, вул. Унівкрситетська, 55а На карті

Результати торгів

Учасник
Ціна пропозиції
Результати кваліфікації
Док-ти
Пропозиція
ФОП Зубко Єгор Сергійович
Ціна пропозиції 80 895.00 UAH без ПДВ
Результати кваліфікації
Переможець
15.12.2025 11:00
Документи 0
Скарги 0

Контракти

Номер: fea5365238dc4a4ca67fdf940fc3eaf8
Ідентифікатор договору: UA-2025-12-15-005208-a-a1
Постачальник: ФОП Зубко Єгор Сергійович
Номер договору: 87
Сума договору: 80 895.00 UAH без ПДВ
Ціни за одиницю: Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів: 16 179.00000 UAH без ПДВ
Період дії договору: 12.12.2025 00:00 - 31.12.2025 00:00
Дата підписання: 12.12.2025 00:00
Статус:
Підписаний
pdf
Договір_№87_від_12.12.2025_ФОП_Зубко_ЄС.pdf
p7s
sign.p7s