-
Закупівля без використання електронної системи
-
КЕП
Епітаксійні пластини композитної приладової структури GaAs/AlAs, ДК 021:2015: 31712330-2 — Напівпровідникові прилади.
80 895.00
UAH без ПДВ
Номер:
fea5365238dc4a4ca67fdf940fc3eaf8
Ідентифікатор договору:
UA-2025-12-15-005208-a-a1
Замовник:
БЕРДЯНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ПЕДАГОГІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
×
-
Код ЄДРПОУ:
02125220
-
Контактна особа:
Нехай Христина Сергіївна 380664122333 rabota0569@gmail.com https://bdpu.org.ua/
-
Адреса:
71100, Україна, Запорізька область, Бердянськ, ВУЛИЦЯ ШМІДТА, будинок 4
-
Категорія:
Юридична особа, яка забезпечує потреби держави або територіальної громади
Постачальник:
ФОП Зубко Єгор Сергійович
×
-
Код ЄДРПОУ:
3788401296
-
Адреса:
36008, Україна, Полтавська область, Полтава, вул. Полюсна, 16 кв. 48
Класифікатор ДК 021:2015:
31710000-6 Електронне обладнанняАналіз за цим CPV
Ціни за одиницю:
Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів: 16 179.00000 UAH без ПДВ
Номер договору:
87
Дата підписання:
12.12.2025 00:00
Період дії договору:
12.12.2025 00:00 - 31.12.2025 00:00
Сума договору:
80 895.00 UAH без ПДВ
Документи
Номенклатура
Назва
Кількість
Період постачання
Місце постачання
Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Кількість
5 штука
Період постачання
до 25.12.2025